PDF ダウンロード スケジュール 24 いいね! 0 16:30 〜 16:45 △ [13p-B4-2] 低温酸素アニールによるSiO2/4H-SiC(0001)界面準位密度の増減機構の理解と制御 〇菊地 平八郎1、喜多 浩之2 (1.東大院工, 2.JST さきがけ) キーワード:SiC、SiO2、MOS