2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物

[13p-B4-1~9] 15.6 IV族系化合物

2015年3月13日(金) 16:15 〜 18:30 B4 (6B-104)

16:45 〜 17:00

[13p-B4-3] 4H-SiC面内MOSFET上のdry酸化界面における電界効果移動度と実効移動度の乖離

〇平井 悠久1、喜多 浩之1, 2 (1.東大院工, 2.JSTさきがけ)

キーワード:SiC、MOSFET、移動度