[13p-D1-1~11] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[13p-D1-10] β-Ga₂O₃薄膜を用いたMFIS構造の作製

〇近藤 勇樹¹、尾澤 秋弘¹、野村 圭介¹、川江 健¹、森本 章治¹ (1.金沢大学)

キーワード：Ga2O3、BiFeO3、半導体