[13p-P17-1~24] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [13p-P17-22] 表面活性化接合によるn⁺-Si/n-GaNコンタクトの検討

〇(B)西村 拓也¹、梁 剣波¹、渡邉 則之²、重川 直輝¹ (1.大阪市大工, 2.NTT研究所)

キーワード：GaN、オーミックコンタクト、常温接合