[13p-P5-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[13p-P5-9] Au/CuO_x/NiO_x/n-Si 2層金属酸化物構造の抵抗変化型不揮発性メモリ

〇岩佐 太陽¹、塚本 貴広¹、須田 良幸¹ (1.東京農工大院工)

キーワード：抵抗変化型不揮発性メモリ、金属酸化物