[14a-A24-1~12] 13.3 絶縁膜技術

△ [14a-A24-8] Ge上ルチル型TiO₂層へのアクセプタドープによる絶縁性向上の試み

〇(B)鈴木 良尚¹、長田 貴弘²、山下 良之²、チナマトゥ パウルサミー²、小橋 和義¹、生田目 俊秀²、小椋 厚志¹、知京 豊裕² (1.明治大学, 2.物質材料研究機構)

キーワード：ゲルマニウム、酸化チタン