2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[14a-A25-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2015年3月14日(土) 09:00 〜 12:00 A25 (6A-218)

11:30 〜 11:45

[14a-A25-10] 真空蒸着法により作製したBaSi2薄膜の膜厚による影響

〇中川 慶彦1、原 康祐2, 3、末益 崇3, 4、宇佐美 徳隆1, 3 (1.名大工, 2.山梨大, 3.JST-CREST, 4.筑波大)

キーワード:バリウムシリサイド、真空蒸着