[14a-A25-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[14a-A25-6] RFスパッタ法により作製したBaSi₂薄膜表面の粒界ポテンシャル評価

〇(B)横山 晟也¹、Nurul A. A. Latiff¹、馬場 正和¹、李 云鵬¹、召田 雅実²、倉持 豪人²、都甲 薫¹、末益 崇^{1, 3} (1.筑波大院　電子・物理工学専攻, 2.東ソー株式会社, 3.JST-CREST)

キーワード：半導体、KFM、シリサイド