[14a-A29-1~11] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[14a-A29-5] n-ウェルの形成のためのGe基板上へのSb拡散

〇米田 亮太¹、山本 圭介²、中島 寛² (1.九大・総合理工学府, 2.九大・産学連携センター)

キーワード：ゲルマニウム、CMOS