[14a-D1-1~9] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[14a-D1-9] ミストCVD法におけるZnS薄膜の成長機構

山崎 佑一郎¹、〇宇野 和行¹、田中 一郎¹ (1.和大システム工)

キーワード：ミストCVD、ワイドバンドギャップ半導体、硫化亜鉛