[14a-D4-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

△ [14a-D4-9] MBE法におけるin-situ 熱拡散法によるGaAsPナノワイヤの自己形成と量子ドットによる斥力効果

〇VO QUOC HUY¹、渡邉 克之¹、影山 健生²、岩本 敏^{1, 2}、荒川 泰彦^{1, 2} (1.東大生研, 2.東大ナノ量子機構)

キーワード：ナノワイヤ、GaAsP、量子ドット