[14p-D4-1~5] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

△ [14p-D4-4] ステップ成長によるInP(311)B面基板上低密度InAs量子ドットの作製

〇(M2)高熊 亨¹、細井 響子¹、赤羽 浩一²、早瀬 潤子¹ (1.慶大理工, 2.情通機構)

キーワード：量子ドット、分子線エピタキシー、アニーリング