17:45 〜 18:00 [13p-A21-16] 縦型バッチ炉を用いたLow Pressure HVPE GaN@GaCl3 on Sapphire、AlN@GaCl3 on Si(111)のエピタキシャル成長 〇梅澤 好太1 (1.東京エレクトロン東北)