赤沢方省

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発表者・著者、共著者

2016年9月13日(火) 09:00 〜 11:45 A35 (303-304)

一般セッション(口頭講演)
| 13 半導体
| 13.9 光物性・発光デバイス

[13a-A35-1~10] 13.9 光物性・発光デバイス

09:30 〜 09:45

[13a-A35-3] ZnGa₂O₄ホストの結晶性・酸化度とEu³⁺ドーパントの発光特性

〇赤沢方省¹、篠島弘幸² (1.NTT DIC、2.久留米高専)

2016年9月16日(金) 13:15 〜 16:30 D61 (万代島ビル6階D1)

一般セッション(口頭講演)
| 15 結晶工学
| 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[16p-D61-1~12] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

16:15 〜 16:30

[16p-D61-12] 分光エリプソによるSiO₂上Geの２次元成長と島状成長の境目検知

〇赤沢方省¹ (1.NTT DIC)