17:45 〜 18:15 [15p-A21-13] 様々な成長法による窒化物半導体ナノ構造の作製とデバイス応用 〇天野 浩2,3,4、服部 達也1、Lekhal Kaddour2、Bae Si-Young2 (1.名大電情シ、2.名大IMaSS、3.名大VBL、4.名大ARC)