16:15 〜 16:30 [15p-A34-13] エピタキシャルリフトオフ法により分離したGaAs基板の表面清浄化手法の検討 〇木村 大希1,2、宮下 直也1、渡辺 健太郎1、ハッサネット ソダーバンル1、中田 達也1,2、杉山 正和2、岡田 至崇1,2 (1.東大先端研、2.東大工)