09:30 〜 11:30 [16a-P3-8] RF-MBE法を用いて成長したGaAsN層の光吸収特性 〇黒澤 拓也1、尾高 拓弥1、谷口 龍希1、山根 陽美1、藤田 実樹2、牧本 俊樹1 (1.早大理工、2.一関高専)