14:30 〜 14:45 [16p-C302-4] ホール効果測定による窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍における界面準位の評価 〇畠山 哲夫1、木内 裕治1、染谷 満1、岡本 大2、原田 信介1、矢野 裕司2、米澤 喜幸1、奥村 元1 (1.産総研、2.筑波大)