12:45 〜 13:00 [16a-B9-15] MBE成長中InAs-GaAs(001)表面における(n×3)再構成領域の変化 〇小西 智也1、塚本 史郎1、伊藤 智徳2、秋山 亨2、海田 諒2 (1.阿南高専、2.三重大院工)