11:00 〜 11:15 [15a-A33-8] バッファー層急冷グラフェンの電子状態と物性 〇乗松 航1、包 建峰2、山本 功樹1、伊藤 孝寛3、舟橋 良次4、楠 美智子5 (1.名大院工、2.内蒙古大、3.名大SR研、4.産総研、5.名大未来研)
11:15 〜 11:30 [15a-A33-9] SiC上高濃度ホウ素ドープグラフェンの物性 〇乗松 航1、増森 淳史1、舟橋 良次2、遠藤 彰3、楠 美智子4 (1.名大院工、2.産総研、3.東大物性研、4.名大未来研)