10:15 〜 10:30 [15a-C302-6] BおよびVドーピングによる4H-SiCエピタキシャル膜のキャリア寿命の制御 〇宮澤 哲哉1、俵 武志2,3、土田 秀一1 (1.電中研、2.産総研、3.富士電機)