14:45 〜 15:00 [16p-C302-5] 4H-SiC熱酸化膜のリーク伝導機構に対する窒化処理の影響 〇木内 祐治1,2、染谷 満1、岡本 大3、畠山 哲夫1、原田 信介1、矢野 裕司3、米澤 喜幸1、奥村 元1 (1.産総研、2.新日本無線(株)、3.筑波大)