16:45 〜 17:00 [15p-B2-12] トンネルFETのデバイスシミュレーションに向けた非均一電界型バンド間トンネルモデル 〇浅井 栄大1、福田 浩一1、服部 淳一1、佐野 伸行2 (1.産総研、2.筑波大物工)