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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14a-B1-1~1] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2016年9月14日(水) 11:45 〜 12:15 B1 (展示ホール内)

中村成志(首都大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

11:45 〜 12:15

[14a-B1-1] [優秀論文賞受賞記念講演] Characterization of electronic states at insulator/(Al)GaN interfaces for improved insulated gate and surface passivation structures of GaN-based transistors

〇谷田部然治¹、堀祐臣²、馬万程³、Asubar Joel T.⁴、赤澤正道³、佐藤威友³、橋詰保³ (1.熊本大、2.古河電工、3.北大、4.福井大)

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