[13a-A25-1~11] 7.4 量子ビーム界面構造計測

[13a-A25-10] SuCSES法を用いたチタン酸ナノシート/SiO₂/Si界面バンドダイアグラムの解析

〇豊田 智史¹、福田 勝利¹、菅谷 英生²、森田 将史¹、中田 明良¹、内本 喜晴¹、松原 英一郎¹ (1.京大、2.パナソニック)

キーワード：シリコン半導体、X線光電子分光、絶縁体/半導体界面

積層絶縁膜/半導体材料界面のバンドダイアグラムを調べるためにX線光電子分光(XPS)解析は古くから行われてきたが、誘電率の異なる物質間のチャージアップ問題を解消して正確な数値データを得ることは未だ難しい。我々は、表面電荷反転電子分光(SuCSES)法をにより、中和電子銃(FG)により絶縁体表面を意図的に負バイアス側にシフトさせたデータを取得することで、積層絶縁膜/半導体材料界面電荷の均衡状態を定量的に評価する方法を見出した。