[13a-A31-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[13a-A31-6] 高均一TaO_x薄膜を用いた抵抗変化動作の局所的評価

〇福地 厚¹、有田 正志¹、片瀬 貴義²、太田 裕道²、高橋 庸夫¹ (1.北大院情報、2.北大電子研)

キーワード：抵抗変化メモリ、ReRAM、TaOx

抵抗変化メモリ材料に対するプローブ顕微鏡測定では、試料形状や欠陥分布の不均一が特性に多大な影響を及ぼす事が知られており、動作機構の本質的な理解を妨げる要因となっている。この問題を解決するため我々は原子レベルの平坦性と高均一な欠陥濃度を持つTaO_x薄膜を新たに作製し、導電性AFMによる抵抗変化動作の解析を行った。作製した薄膜では、抵抗変化動作及びbreakdownに伴って膜面内方向に特徴的な原子移動が発生する事が見出された。