2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[13a-A35-1~10] 13.9 光物性・発光デバイス

2016年9月13日(火) 09:00 〜 11:45 A35 (303-304)

篠崎 健二(産総研)

10:00 〜 10:15

[13a-A35-5] 放射光とレーザーを使って決定されたGAGG中Ce3+イオンの4f電子イオン化エネルギー

北浦 守1、東 純平2、鎌田 圭3、石崎 学1、大西 彰正1、原 和彦4 (1.山形大理、2.佐賀大シンクロ、3.東北大NICHe、4.静岡大電研)

キーワード:希土類イオン、シンクロトロン放射光、表面光起電力効果

熱や光による局在電子のイオン化は非発光過程と密接に関係するため、そのイオン化エネルギーを正確に決定することは発光素子の開発において大切である。本研究では、表面光起電力 (SPV) 効果を利用して、ガーネットにドープされた三価セリウムイオンの4f電子に対するイオン化エネルギーを決定した。実験は九州シンクロトロン光研究センターのビームライオンBL13で行った。レーザー光を薄膜試料に照射して光キャリアを生成し、紫外光電子分光 (UPS) スペクトルを測定してレーザー光照射に伴う価電子帯および内殻準位の変化を調べた。講演では、ガーネット蛍光体の一つであるGd3Al2Ga3O12:Ce (GAGG:Ce) に対する結果の一例を報告する。