[13a-B3-1~12] 3.5 レーザー装置・材料

[13a-B3-4] 100mJ級伝導冷却型QスイッチTm,Ho:YLFレーザーの高平均出力動作

〇佐藤 篤^1,2、青木 誠²、石井 昌憲²、大塚 涼平^3,2、水谷 耕平²、落合 啓² (1.東北工大、2.情通機構、3.首都大)

キーワード：レーザー、半導体レーザー励起、Qスイッチ

本研究では、100mJ級の伝導冷却型QスイッチTm,Ho:YLFレーザーにおいて、7Wを超える高平均パワー動作を達成した。レーザーロッドの冷却温度-80℃、繰り返し周波数70Hzのとき、Qスイッチパルス出力104mJが得られた。これは平均パワー7.28Wに相当する。また、50Hzのとき、最大パルスエネルギーは125mJに達した。