[13a-B9-1~11] 8.4 プラズマエッチング

[13a-B9-10] 中性粒子ビーム励起錯体反応を用いたTaエッチングのメカニズム

〇久保田 智広¹、久保 百司²、寒川 誠二^1,3 (1.東北大流体研、2.東北大金研、3.東北大WPI-AIMR)

キーワード：遷移金属錯体、磁気抵抗メモリ、エッチング加工

遷移金属（特に磁性材料）の異方性エッチングプロセスは、高速な不揮発性メモリである磁気抵抗メモリの実用化のために極めて重要である。遷移金属の表面にプラズマを通さず直接エタノールなどの有機分子を吸着させ、その表面に酸素・アルゴン混合中性粒子ビームを照射することでエッチングする方法のメカニズムを解明するため、第一原理計算を行っている。エッチング方法改善を目的とし有機分子依存性について検討を行った。