[13a-B9-1~11] 8.4 プラズマエッチング

[13a-B9-3] 吸引プラズマの精密エッチングレート制御

〇狩野 諒^1,3、菅 洋志¹、新堀 俊一郎²、高橋 賢²、宮脇 淳³、久保 利隆³、安藤 淳³、清水 哲夫³ (1.千葉工大、2.三友製作所、3.産総研)

キーワード：吸引プラズマ、プラズマエッチング、SiO2

MEMSセンサに活用されているSiO₂やSi₃N₄などの薄膜からなるダイアフラム構造製作の、簡便なプロセス技術の確立を目的に、局所加工が可能で低残渣の特徴を持つ吸引プラズマを用いて、加工ガスにアルゴンガスで希釈してSiO₂(200nm)/Si基板のエッチングレートの精密制御を試みた。結果、CF₄濃度で吸引プラズマエッチングの加工レートを制御し、SiO₂膜を残す精密加工が可能であることを確認した。