[13a-C42-1~8] 9.3 ナノエレクトロニクス

[13a-C42-1] 共通ゲート三重ドット単電子デバイスのポンプ動作の解明

〇高野谷 怜音¹、今井 茂¹ (1.立命館大学)

キーワード：ナノデバイス

３つのゲート容量が非対称な共通ゲート三重ドット単電子デバイスがどのような状況でポンプ動作を起こすのかを明らかにする。ソース側のゲート容量がドレイン側より20%大きい場合、ゲート電圧を上昇させるとソースからドットへ電子が移動する。ゲート電圧を下降させる時に電極に出ていく電子が中央ドットにある場合にはソースへ向かって移動するが、両側のドットにある場合にはドレインに向かって移動しポンプ動作を起こす。