[13a-D61-1~12] 7.3 微細パターン・微細構造形成技術

[13a-D61-3] アセタール基で保護したノーリア誘導体に基づいたレジスト材料の電子線照射に対する応答性の系統的な研究

〇山本 洋揮¹、工藤 宏人²、古澤 孝弘¹ (1.阪大産研、2.関西大学)

キーワード：電子線、分子レジスト、化学増幅型レジスト

現在、感度、解像度、レジストパターン幅の揺らぎ(LWR)のトレードオフの問題を打開するために、新規なナノリソグラフィ用化学増幅型レジストの開発が期待されている。とりわけ、LWRの値はポリマーサイズに近づいており、高解像性かつLWRの小さくできる可能性を秘めている低分子レジストが脚光を浴びている。本研究では、アセタール基で保護したノーリア誘導体を様々な保護率で合成し、それらのレジスト性能を評価した。