[13p-A21-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-A21-14] エッチピット法によるHVPE-GaNの転位検出と分類

〇姚 永昭¹、石川 由加里^1,2、菅原 義弘¹、横江 大作¹、須藤 正喜²、岡田 成仁³、只友 一行³ (1.ファインセラミックスセンター、2.名工大、3.山口大院)

キーワード：窒化ガリウム、エッチピット、転位

GaN単結晶における種々の貫通転位（刃状、らせんおよび混合転位）を全て検出・分類する技術が結晶成長や素子不良解析に重要である。本研究では、強い酸化剤Na₂O₂を添加した溶融KOHを用いたエッチピット法で、HVPE法GaN単結晶の貫通転位の検出・分類について検討した。その結果をCLマッピングで得た転位のキャリア再結合強度と比較した。また、TEMを用い、ピット直下の転位構造を観察し、転位分類の精度を検証した。