[13p-A21-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-A21-15] EVPE法によるAlN/サファイア界面構造の制御

〇岸元 克浩¹、Wu PeiTsen¹、船戸 充¹、川上 養一¹ (1.京大院工)

キーワード：結晶成長

AlとN₂を原料とする新たなAlN基板の作製法であるEVPE法を用いてAlNを作製したときの，サファイア種結晶とAlNの界面構造に注目した．
原料供給を成長温度になってから行うと，界面に(物理的に弱い)ウィスカーが形成されることで自然剥離現象がしばしば起こる一方，昇温開始時から行うとウィスカーが形成されなかった．つまり原料供給のタイミング制御により，自発分離現象を制御できることがわかった．