[13p-A21-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-A21-16] 縦型バッチ炉を用いたLow Pressure HVPE GaN@GaCl3 on Sapphire、AlN@GaCl3 on Si(111)のエピタキシャル成長

〇梅澤 好太¹ (1.東京エレクトロン東北)

キーワード：減圧HVPE

縦型バッチ炉をベースにGaNエピタキシャル成長の装置を開発した(4" 50枚処理)
プロセスはLow Pressure HVPEで成長速度2-10um/hで低不純物 GaNエピタキシャル膜が成長可能である。
また、特徴として低NH3使用効率とin-situ Dry Cleaningが可能である