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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-A21-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

2016年9月13日(火) 13:15 〜 18:00 A21 (メインホールA)

荒木努(立命館大)、有田宗貴(東大)、村上尚(農工大)

15:30 〜 15:45

[13p-A21-8] 誘電体(SiO₂/TiO₂)DBR上の自己形成GaNナノコラム成長

〇鈴木拓良¹、福田正志¹、今野裕太¹、岸野克巳^1,2 (1.上智大、2.上智ナノテクセンター)

キーワード：ナノコラム、酸化膜