[13p-A22-1~5] 酸化物エレクトロニクスの未来展望を描く

[13p-A22-4] 酸化ガリウムエピ／基板開発の進展

〇佐々木 公平^1,2,3、倉又 朗人^1,2、増井 建和^1,2、後藤 健^1,2,4、富樫 理恵⁴、村上 尚⁴、熊谷 義直⁴、モネマー ボ^5,6、東脇 正高³、山腰 茂伸^1,2 (1.タムラ製作所、2.ノベルクリスタルテクノロジー、3.情通機構、4.東京農工大院工、5.東京農工大GIRO、6.リンチョピン大学)

キーワード：酸化ガリウム、ホモエピタキシャル成長、単結晶ウェハ

酸化ガリウムは、材料物性および量産性の点から次世代のパワーデバイス材料として魅力的である。酸化ガリウム単結晶ウェハの開発は、主にEFG法を用いて行っている。現在、2インチウェハを販売している。最近、HVPE法によるホモエピタキシャル成長技術を開発し、10 µm/hを超える成長速度と10¹⁵-10¹⁸ cm^-3の範囲のキャリア制御に成功した。