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[13p-B9-2] 3次元アトムプローブ評価法による多元系磁性半導体の物性解明
キーワード:磁性半導体
ZnSnAs2:Mn薄膜はInP基板とほぼ格子整合することから分子線エピタキシーで高品質な薄膜結晶を作製することができ室温で強磁性を示す磁性半導体である。強磁性発現機構の手がかりを得るために、ZnSnAs2:Mn薄膜の微小領域の原子分布を3次元アトムプローブ法(3DAP)を用いて調べた。3DAPは原子レベルで非常に高い空間分解能と検出感度を有する測定手法として注目され半導体中の不純物分布を調べる手段として優れている。