[13p-C42-1~9] 9.3 ナノエレクトロニクス

△ [13p-C42-8] 金属探針表面局所電位変調によるGaAs表面トラップ位置の評価

〇佐藤 将来^1,2、殷 翔^1,2、黒田 亮太^1,2、葛西 誠也^1,2 (1.北大量集センター、2.北大院情報科学)

キーワード：GaAsナノワイヤ、ランダムテレグラフシグナル、原子間力顕微鏡