[13p-D61-1~8] 15.2 II-VI and related compounds

[13p-D61-1] Photoluminescence of CdTe layers grown on (211)Si Substrates by MOVPE

〇Masahiro Kojima¹, Syozo Kitagawa¹, Junya Ozawa¹, Shintaro Tsubota¹, Taiki Yamaguchi¹, Kazuhito Yasuda¹, Niraula Madan¹, Yasunori Agata¹ (1.Nagoya Inst. of Tech)

Keywords:MOVPE, CdTe, Photoluminescence

MOVPE法によるSi基板上のCdTe層を用いた放射線検出器の開発を行っている。(211)Si基板上では良好な結晶性が得られており、検出特性も確認できた。しかしながら(100)や他の方位のSi基板上のCdTe層では、結晶性や検出特性について十分な検討が行われていない。ここでは他の結晶方位における評価の基準とするため、(211)Si基板上のCdTe層についてフォトルミネッセンス(PL)の膜厚依存性を検討したので報告する。