[13p-D61-1~8] 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

[13p-D61-1] MOVPE法による(211)Si基板上のCdTe層のフォトルミネッセンス特性

〇小島 將弘¹、北川 翔三¹、小澤 潤也¹、坪田 眞太郎¹、山口 大貴¹、安田 和人¹、ニラウラ マダン¹、安形 保則¹ (1.名工大院工)

キーワード：MOVPE、CdTe、フォトルミネッセンス

MOVPE法によるSi基板上のCdTe層を用いた放射線検出器の開発を行っている。(211)Si基板上では良好な結晶性が得られており、検出特性も確認できた。しかしながら(100)や他の方位のSi基板上のCdTe層では、結晶性や検出特性について十分な検討が行われていない。ここでは他の結晶方位における評価の基準とするため、(211)Si基板上のCdTe層についてフォトルミネッセンス(PL)の膜厚依存性を検討したので報告する。