[13p-D61-1~8] 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

△ [13p-D61-8] 近接昇華法によるGa₂Te₃/Ag₂Te積層構造からのAgGaTe₂薄膜作製

〇宇留野 彩¹、桜川 陽平¹、小林 正和^1,2 (1.早大先進理工、2.早大材研)

キーワード：カルコパイライト、近接昇華法、太陽電池

CdTe太陽電池は世界でも広く開発が行われているが、Cdが含まれているため環境への懸念がある。そこでCdをAgとGaで置き換えたAgGaTe₂に着目してきた。本研究ではそれぞれの膜厚を制御することで組成制御が比較的容易に行えるGa₂Te₃/Ag₂Teという2層構造に着目し、AgGaTe₂薄膜の形成をGa₂Te₃/Ag₂Teを連続して堆積させることにより試みた。Ga₂Te₃堆積中にGa₂Te₃/Ag₂Te層の再結晶化が同時に起こり、ポストアニールを行わずにAgGaTe2膜が形成されていることが明らかとなった