[13p-P5-1~64] 17 ナノカーボン（ポスター）

[13p-P5-48] グラフェン状物質の面内ヘテロ構造を用いたFETの性能予測シミュレーション

橋本 悠希¹、市原 圭祐¹、田中 未来¹、笹岡 健二¹、小川 真人¹、〇相馬 聡文¹ (1.神戸大院工)

キーワード：グラフェン、デバイスシミュレーション

チャネル部分の電子が有限ギャップディラック分散に従うとし、ソース/ドレイン領域がギャップレスディラック分散とした場合に、そのバンドギャップ、フェルミ速度等がFETの特性に及ぼす影響を、非平衡グリーン関数とポアソン方程式の自己無撞着計算を用い、通常の半導体との比較の見地から調べた結果を報告する。