13:30 〜 15:30
[13p-P5-48] グラフェン状物質の面内ヘテロ構造を用いたFETの性能予測シミュレーション
キーワード:グラフェン、デバイスシミュレーション
チャネル部分の電子が有限ギャップディラック分散に従うとし、ソース/ドレイン領域がギャップレスディラック分散とした場合に、そのバンドギャップ、フェルミ速度等がFETの特性に及ぼす影響を、非平衡グリーン関数とポアソン方程式の自己無撞着計算を用い、通常の半導体との比較の見地から調べた結果を報告する。
一般セッション(ポスター講演)
17 ナノカーボン » 17 ナノカーボン(ポスター)
2016年9月13日(火) 13:30 〜 15:30 P5 (展示ホール)
13:30 〜 15:30
キーワード:グラフェン、デバイスシミュレーション