[13p-P5-1~64] 17 ナノカーボン（ポスター）

[13p-P5-61] 二硫化タングステンFETの動作特性とその金属−半導体界面状態の評価

〇(M2)河合 信哉¹、上野 啓司¹ (1.埼玉大院理工)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、層状物質

バンドギャップを持ち，層間剥離が容易で，表面が不活性かつ平坦な層状物質二硫化タングステンを半導体層としたFETを作製し，温度を可変（10-300 K）しながら測定を行なった。Cr/Au電極によって作製したFETはn型動作を示し，線形移動度は2 cm²/Vs，on/off比は3×10²であった。電流値からアレニウスプロットをとりその傾きからショットキー障壁の高さ（SBH）の算出をおこない，ゲート電圧，ドレイン電圧によるSBHの変調を確認した。