[13p-P5-1~64] 17 Nanocarbon Technology（Poster）

[13p-P5-62] Field effect transistor application of hafnium diselenide atomic layers

〇(M1)Nobuyuki Shinkura¹, Nobuya Kawai¹, Keiji Ueno¹ (1.Saitama-univ)

Keywords:transition metal dichalcogenide, hafnium diselenide, layered material

ハフニウムの層状遷移金属ダイカルコゲナイドは，酸化ハフニウムの誘電率が高くゲート誘電体として有用であるため，表面酸化による低電圧駆動トップゲートFET形成に興味が持たれる。本研究では，まず二セレン化ハフニウムを用いてボトムゲートFET素子を作製し，動作特性の測定を行った。金電極によって作製したFETはn型動作を示し，移動度は1.63×10^－2 cm²/Vs，on/off比は9.6であった。