2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[13p-P7-1~17] 6.4 薄膜新材料

2016年9月13日(火) 16:00 〜 18:00 P7 (展示ホール)

16:00 〜 18:00

[13p-P7-1] 赤外線センサ検知部材料のためのTa,Wドープ酸化バナジウム膜の形成(Ⅴ)

新井 大輝1、齋藤 和弘1、渡邊 良祐1、〇齋藤 洋司1 (1.成蹊大院理工)

キーワード:ボロメータ、相転移、酸化バナジウム

ボロメータ型センサ用材料としてVO2中にタングステン(W)とタンタル(Ta)を添加することにより、比較的高いTCRを維持しつつ相転移温度の低い材料の開発を目指している。Wのドープ量を1%以上に増やし、不純物のドープ量がTCR・ヒステリシス・相転移温度にどのような影響を及ぼすかを引き続き調べた。