[13p-P7-1~17] 6.4 薄膜新材料

[13p-P7-7] 高耐熱抵抗器用電極金属多層膜の作製

〇中島 智彦¹、伊藤 武²、河野 桂子¹、浦野 幸一²、田中 清志²、北中 佑樹³、中村 吉伸³、宮山 勝³、土屋 哲男¹ (1.産総研、2.株式会社KOA、3.東大院工)

キーワード：パワーエレクトロニクス、金属多層膜、電極

パワーエレクトロニクス用SiCデバイスの駆動温度は従来の電子部品の耐熱温度を大幅に上回る温度が想定され、特に抵抗器は発生するジュール熱の影響も考慮すれば300℃程度の高い耐熱温度が必要となる。高耐熱性抵抗器の実現のため劣化機構を詳細に調べたところ抵抗器を構成する抵抗体部と比して金属多層膜で構成される電極部の劣化が大きいことが明らかとなり、それを踏まえ高耐熱性を得る方策を検討した。