2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[14a-A23-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

2016年9月14日(水) 09:00 〜 11:45 A23 (201B)

吉田 慎哉(東北大)、山田 智明(名大)

09:00 〜 09:15

[14a-A23-1] (0001)ZnO基板上における巨大c/a比を有するBiFeO3薄膜の成長

後田 敦史1、小前 智也1、吉村 武1、藤村 紀文1 (1.阪府大院工)

キーワード:BiFeO3、巨大c/a、強誘電体/極性半導体ヘテロ構造

我々は強誘電体/極性半導体ヘテロ界面における自発分極による電界効果に着目しており、これまでに極性半導体であるZnO上に様々な強誘電体薄膜を成長させ、そのヘテロ構造の電気的特性を調べてきた。本講演では(0001)ZnO基板上への巨大c/a比を有するBiFeO3薄膜の成長について報告する。