[14a-A23-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

△ [14a-A23-7] PLD法による配向制御したエピタキシャル(Bi,K)TiO₃膜の作製

〇根本 祐一¹、一ノ瀬 大地²、清水 荘雄³、内田 寛⁴、佐藤 祐介⁵、山岡 和希子⁵、舟窪 浩^1,2,3 (1.東工大総理工、2.東工大物院工、3.東工大元素、4.上智大理工、5.TDK株式会社)

キーワード：強誘電性、非鉛

Pb(Zr,Ti)O₃は毒性元素の鉛を含有するため、非鉛強誘電体材料は求められており、我々はこれまで十分に検討されていない非鉛正方晶強誘電体材料である(Bi,K)TiO₃に着目し研究を行っている。そして、我々は初めて(100)SrRuO₃//(100)SrTiO₃基板上に{100}に配向した正方晶(Bi,K)TiO₃エピタキシャル膜の作製強誘電性および圧電特性の発現することを報告した。今回は、単結晶基板を用いて配向膜制御を行い、さらに (Bi,K)TiO₃膜の評価を行ったので報告する。